SI9407AEY-T1-GE3

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

SI9407AEY-T1-GE3 datasheet

• Маркировка
  SI9407AEY-T1-GE3
• Производитель
  Vishay Intertechnology
• Описание
  Vishay Intertechnology SI9407AEY-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 3.5 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.12 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SO-8 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 3 W Factory Pack Quantity: 2500 Part # Aliases: SI9407AEY-GE3
• Количество страниц
  8 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI9407AEY-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 156,90 KB